深圳市红邦半导体有限公司silvermicro专注于新型能源产品配套电子元器件的供应商,致力于大功率电力电子半导体行业。专注于通信电源、电力电源、不间断电源、变频器、逆变器、高频设备、焊机、电镀设备行业。
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单管IGBT、整流桥、可控硅半导体器件。
公司主要产品系列
IGBT模块
单管IGBT、1单元、2单元、6单元(600V-6500V)
PIM模块(600V-3300V)
半桥、全桥、三相桥、整流桥、可控硅(660V-1700V)
整流桥、可控硅、IGBT模块
电话:0755-2301 1090
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静态特性IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性。IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时,漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压...
作为电力电子重要大功率主流器件之一,IGBT已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。在工业应用方面,如交通控制、功率变换、工业电...
(1)方法IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高...
IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、...
由于igbt模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是...
深圳市红邦半导体有限公司
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