抛光粉通常由氧化铈(VK-CE01)、氧化铝(VK-L30F)、氧化硅(VK-SP50F)、氧化铁、氧化锆(VK-R30F)、氧化铬等组份组成，不同的材料的硬度不同，在水中的化学性质也不同，因此使用场合各不相同。氧化铝和氧化铬的莫氏硬度为9，氧化铈和氧化锆为7，氧化铁更低。氧化铈与硅酸盐玻璃的化学活性较高，硬度也相当，因此广泛用于玻璃的抛光。

光液使用方法

包括棘轮扳手、开口扳手，批咀、套筒扳手，六角扳手，螺丝刀等，铅锡合金、锌合金等金属产品经过研磨以后，再使用抛光剂配合振动研磨光饰机，滚桶式研磨光式机进行抛光。

1、抛光剂投放量为（根据不同产品的大小，光饰机的大小和各公司的产品光亮度要求进行适当配置）；

2、抛光时间：根据产品的状态来定；

3、抛光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。

制作步骤：

依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：

（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。

（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。

硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。

结晶粉的使用

1、石材结晶粉使用效果的要求: 地面平整,翻新完成后使用或晶面日常保养。

2、取本大理石油亮型结晶粉湿磨工艺：加水调成浆状(比例为1:6)。用石材晶面机配合百洁垫(红垫、白垫、纳米垫、兽毛垫都可以，根据石材材质和经济性决定)研磨3-5分钟后,保持地面湿润，用清水轻抛洗净吸水机吸干。后再用干净纤维垫轻抛2-3分钟效果更佳!

3、取本大理石超亮晶面粉干磨工艺：加水调成浆状(比例为1:1)。用石材晶面机配合纤维垫研磨,磨干地面。(晶面机阻力增大时即晶面浆结晶层形成时可在地面洒几滴水至磨干)

4、观察地面结晶层亮度、油润度，可按上述方法施工二遍，可达到满意结晶面，做翻新工程时可以直接交工。

5、地面干燥后，可用干净尘推推尘。